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硅 Si 雪崩單元探測(cè)器 APD系列 400-1100nm  

硅 Si 雪崩單元探測(cè)器 APD系列 400-1100nm
Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響;APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)


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產(chǎn)品型號(hào) 7
貨號(hào) 操作 名稱
E80043140  Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:100MHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80040341  Si雪崩單元探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:1GHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.2pW/√(Hz);輸出耦合方式:AC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80040339  Si雪崩單元探測(cè)器 200MHz 400-1100nm FC/APC   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:200MHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80040342  Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APC   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:2GHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:30uW;NEP:0.2pW/√(Hz);輸出耦合方式:AC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80040340  Si雪崩單元探測(cè)器 300MHz 400-1100nm FC/APC   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:300MHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80040216  Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:400MHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
E80040194  Si雪崩單元探測(cè)器 500MHz 400-1100nm FC/APC   [PDF] 波長(zhǎng):400-1100nm;帶寬:500MHz;探測(cè)器響應(yīng)度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC;光學(xué)輸入:FC/APC    價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服 庫存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
總覽

Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響;APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

內(nèi)置高壓電源

APD溫度補(bǔ)償

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


產(chǎn)品應(yīng)用

光纖傳感

光纖通信

激光測(cè)距

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

APD-100M-B

APD-200M-B

APD-300M-B

APD-400M-B

APD-500M-B

APD-1G-B

APD-2G-B

單位

探測(cè)器類型

Si


波長(zhǎng)

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

響應(yīng)度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Ω

飽和功率

13

13

13

13

13

13

30

uW

NEP

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/√(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

65*50*20

mm











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