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硅 Silicon ET-2030 高速 硅光電探測器 >1.2GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040619
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材料:Silicon
上升/下降時間:<30ps/<300ps;
響應度:0.47A/W@830nm;
帶寬:>1.2GHz;
有效面積直徑:0.4mm;
輸出連接:BNC
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帶寬(Hz):
>1.2 GHz |
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硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT
[PDF]
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E80040618
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材料:Silicon硅
上升/下降時間:<50ps/<500ps;
轉換增益:450 V/W @830 nm
帶寬:30 kHz to 1.2 GHz
有效面積直徑:400um;
輸出連接:BNC
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帶寬(Hz):
30 kHz-1.2 GHz |
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硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器 >25MHz 美國EOT
[PDF]
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E80040617
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材料:Silicon
上升/下降時間:<30ns/<30ns;
響應度:0.6A/W@830nm;
帶寬:>25MHz;
有效面積直徑:4.57mm;
輸出連接:BNC
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帶寬(Hz):
>25 MHz |
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硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040616
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材料:Silicon
上升/下降時間:<32ps/<320ps;
響應度:0.47A/W@830nm;
帶寬:>1.1GHz;
有效面積直徑:0.4mm;
輸出連接:BNC;
工作溫度:-20 - 50℃;
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帶寬(Hz):
>1.1 GHz |
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硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT
[PDF]
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E80040615
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材料:Silicon;
上升/下降時間:<3ns/<3ns;
響應度:0.56A/W@830nm;
帶寬:>118MHz;
有效面積直徑:2.55mm;
輸出連接:BNC
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帶寬(Hz):
118 MHz |
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銦鎵砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040602
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材料:銦鎵砷
上升/下降時間:<17ps / <175ps;
響應度: 0.9A/ W@1300nm;
帶寬:>2GHz;
有效面積直徑:100um;
輸出連接:BNC;
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帶寬(Hz):
>2 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 放大光電探測器 ET-3000A 美國EOT
[PDF]
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E80040613
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<40ps/<400ps;
轉換增益:900 V/W @1300 nm
帶寬:30 kHz to 1.5GHz
有效面積直徑:100um;
輸出連接:BNC
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帶寬(Hz):
30 kHz-1.5GHz |
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銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測器 >2 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040601
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<17ps/<175ps;
響應度:0.9A/W@1300nm;
帶寬:>2GHz;
有效面積直徑:100um;
輸出連接:BNC
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帶寬(Hz):
>2 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, >15 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040614
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<25ps/<25ps;
響應度:0.9A/W@1300nm;
帶寬:>15GHz;
有效面積直徑:32um;
輸出連接:SMA
光纖連接 不適用
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帶寬(Hz):
>15 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500F, >15 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040608
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<25ps/<25ps;
響應度:0.65A/W@1300nm;
帶寬:>15GHz;
有效面積直徑:32um;
輸出連接:SMA
光纖連接 FC/UPC;SMF28e
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帶寬(Hz):
>15 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600, >22 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040607
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材料:InGaAs;
上升/下降時間:<16ps /<16ps;
響應度:0.7A/W@1300nm;
帶寬:>22GHz;
有效面積直徑:20um;
輸出連接:SMA ;
光纖連接 不適用
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帶寬(Hz):
>22 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600F, >22 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040606
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<16ps/<16ps;
響應度:0.7A/W@1300nm;
帶寬:>22GHz;
有效面積直徑:20um;
輸出連接:SMA
光纖連接 FC/UPC、SMF28e
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帶寬(Hz):
>22 GHz |
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砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040620
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材料:GaAs
上升/下降時間:<30ps/<30ps;
響應度:0.53A/W@830nm;
帶寬:>12.5GHz;
有效面積直徑:60um;
輸出連接:SMA
光纖連接c 不適用
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帶寬(Hz):
>12.5 GHz |
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砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040605
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材料:GaAs
上升/下降時間:<30ps/<30ps;
響應度:0.38A/W@830nm;
帶寬:>12.5GHz;
有效面積直徑:60um;
輸出連接:SMA
光纖連接 FC/UPC、SMF28e
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帶寬(Hz):
>12.5 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美 國EOT
[PDF]
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E80040604
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<28ps/<28ps;
響應度:1.3A/W@2000nm;
帶寬:>10GHz;
有效面積直徑:40um;
輸出連接:SMA
光纖連接;不適用
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帶寬(Hz):
>10 GHz |
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銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT
[PDF]
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E80040603
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材料:InGaAs
上升/下降時間:<28ps/<28ps;
響應度:0.9A/W@2000nm;
帶寬:>10GHz;
有效面積直徑:40um;
輸出連接:SMA
光纖連接;FC/UPC
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帶寬(Hz):
>10 GHz |
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