貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 中心波長 | 輸出功率 |
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圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 參數 | 價格 |
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垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發射激光器
激光波長: 894.6 nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
原子鐘
磁力計
Vixar模具圖紙:孔徑數量
我們目前有以下標準部件可供樣品和批量生產
標準產品組合 – 低功耗芯片
型號 | 波長 | 模具細節 | 建議Max. 峰值功率 CW,100% DC | 注意 | 數據表 |
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單模 | |||||
V00145 | 795nm | 0.16 mm x 0.20 mm 單孔徑 | 0.15mW | 線寬<100MHz,+/-0.5nm 偏振穩定 | V00145_數據表 |
V00140 | 895nm | 0.16 mm x 0.20 mm 單孔徑 | 0.2mW | 線寬<100MHz,+/-0.5nm 偏振穩定 | V00140_數據表 |
多模 | |||||
V00146 | 680nm | 0.22 mm x 0.22 mm 單孔徑 | 7mW | 可見光,效率提高,非高斯光束形狀 偏振穩定 | V00146_數據表 |
標準產品組合 – 高功率芯片 – 850 nm
型號 | 模具細節 | 建議Max. 峰值功率 CW,100% DC | 建議Max. 峰值功率 100 μs,1% DC | 建議Max. 峰值功率 5 ns,0.1% DC | 數據表 |
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V00151 | 0.52 mm x 0.52 mm 100 個孔徑 | 0.5W | 1W | 5W | V00151_數據表 |
V00027 | 0.87 mm x 0.87 mm 281 個孔徑 | 2W | 6W | 13W | V00027_數據表 |
V00124 | 0.90 mm x 1.00 mm 550 個孔徑 | 3W | 9W | 35W | V00124_數據表 |
V00029 | 1.26 mm x 1.26 mm 770 個孔徑 | 4W | 12W | 36W | V00029_數據表 |
V00133 | 1.99 mm x 1.99 mm 1672 個孔徑 | 6W | 20W | 78W | V00133_數據表 |
標準產品組合 – 高功率芯片 – 940 nm
型號 | 模具細節 | 建議Max. 峰值功率 CW,100% DC | 建議Max. 峰值功率 100 μs,1% DC | 建議Max. 峰值功率 5 ns,0.1% DC | 數據表 |
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V00059 | 0.87 mm x 0.87 mm 281 個孔徑 | 2W | 6W | 13W | V00059_數據表 |
V00081 | 0.90 mm x 1.00 mm 550 個孔徑 | 3W | 8W | 35W | V00081_數據表 |
V00156 | 0.90 mm x 1.00 mm 550 孔徑 多結 (3J) | 4W | 12W | 110W | V00156_數據表 |
V00063 | 1.26 mm x 1.26 mm 770 個孔徑 | 4W | 11W | 36W | V00063_數據表 |
V00132 | 1.99 mm x 1.99 mm 1672 個孔徑 | 6W | 20W | 76W | V00132_數據表 |
VCSEL低功耗芯片GaAs 894.6nm Max. 額定值
Ta = 80°C
參數 | 符號 | 值 | |
操作/焊接溫度 DC = 100% | TS | Min. 值 Max. 值 | -20°C 110°C |
儲存溫度 | Tstg | Min. 值 Max. 值 | -40°C 125°C |
正向電流(保持單模)直流操作;DC = 100%; TS = 75°C | If | Max. 值 | 1.5 mA |
正向電流直流操作;DC = 100%; TS = 75°C | If | Max. 值 | 3 mA |
反向電壓 | 不適合反向操作 | ||
ESD 耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | Max. 值 | 250 V |
注意:超出jue對Max. 額定值范圍的應力可能會對設備造成永jiu性損壞。
VCSEL低功耗芯片GaAs 894.6nm 特征
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
參數 | 符號 | 值 | |
正向電流 | VF | 典型值 | 1.78 V |
輸出功率 | Φ | 典型值 | 0.3 mW |
閾值電流 | Ith | 典型值 | 0.61 mA |
斜率效能 | SE | 典型值 | 0.37 W / A |
單模抑制比 | SMSR | Min. 值 | 20 dB |
偏振消光比5) | PER | Min. 值 | 15 dB |
峰值波長 | λpeak-v | Min. 值 典型值 Max. 值 | 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm |
光譜線寬度 | Λlinewidth | Max. 值 | 100 MHz |
調頻調制帶寬 | Fm | Min. 值 | 4.6 GHz |
波長溫度系數 | TCλ | 典型值 | 0.06 nm / K |
半峰全寬處視場(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
1/e2處 視場 | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波長,輸出功率根據操作溫度和電壓的變化而變化。
相對光譜發射 1)
輻射特征 1)
正向電流 1) 2)
光輸出功率 1) 2)
尺寸圖 ,單位 mm)
包裝
注意事項
根據操作模式的不同,這些設備發射出高度集中的可見光和非可見光,這可能對人眼有害。包含這些設備的產品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預防措施。
除其他物質外,該裝置的子組件還含有金屬填充材料,包括銀。金屬填充材料可能會受到含有侵略性
物質的環境影響。因此,我們建議客戶在存儲、生產和使用過程中盡量減少設備接觸腐蝕性物質。當
使用上述試驗進行試驗時,顯示出可見變色的裝置在規定的試驗持續時間內未顯示出故障限值范圍內
的性能偏差。
IEC60810中描述了相應的故障限值。
術語
1) 典型值:由于半導體器件制造工藝的特殊條件,技術參數的典型數據或計算關聯只能反映統計數字。這些不一定對應于每個產品的實際參數,這些參數可能不同于典型值和計算相關或典型特征線。由于技術改進,這些典型值數據將被更改,恕不另行通知。
3) 尺寸公差:除非圖紙中另有說明,公差以±0.1規定,尺寸以mm規定。
4) 波長:連續波長測量,分辨率±0.1 nm。
5) 偏振: 在安裝或封裝引起的模具應力條件下,偏振消光比會降低。
訂購信息
描述 | 工作模式 | 訂購代碼 |
Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm | Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 1 |
Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm | Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 2 |
Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm | Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 3 |
Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm | Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 4 |
Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20mm | Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm | V00140 Group: 5 |